688012，革命力爆棚，六款半导体种植新品来了

9月4日，中微公司（688012）在第十三届半导体种植与中枢部件及材料展（CSEAC 2025）上告示推出六款半导体种植新址品，隐私等离子体刻蚀（Etch）、原子层千里积（ALD）及外延（EPI）等要道工艺。

具体来看，在刻蚀期间方面，中微公司这次发布的两款新品，CCP电容性高能等离子体刻蚀机PrimoUD-RIE 与Primo Menova 12寸ICP单腔刻蚀种植，离别在极高妙宽比刻蚀及金属刻蚀范畴提供了率先和高效的处置决策。

中微公司Primo UD-RIE 图源：中微公司微信公众号

中微公司Primo Menova 图源：中微公司微信公众号

薄膜千里积方面，中微公司推出的12英寸原子层千里积居品Preforma Uniflash 金属栅系列，涵盖Preforma Uniflash TiN、Preforma Uniflash TiAI及Preforma Uniflash TaN三大居品，约略清闲先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的欺诈需求。

中微公司Preforma Uniflash 金属栅系列 图源：中微公司微信公众号

新兴期间范畴方面，中微公司发布的公共首款双腔减压外延种植PRIMIO Epita RP，可舒苦守熟识到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多范畴外延工艺需求，并已于旧年8月付运到客户进行熟识制程和先进制程考证，且推崇胜仗。

中微公司PRIMIO Epita RP 图源：中微公司微信公众号

中微公司董事长兼总司理尹志尧在主旨呈报规范中暗意，中微公司遥远以市集与客户需求为导向，合手续加大研发力度。公司2025年上半年研发参预达14.92亿元，同比增长约53.70%，研发参预占公司买卖收入比例约为30.07%。现在，公司在研技俩涵盖六大类、超二十款新种植，研发速率结束朝上式擢升——往常一款新种植的开辟周期经常为3到5年，如今仅需2年致使更短时候就能推出极具市集竞争力的居品并胜仗落地。

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